热点聚焦！美联储加息步伐放缓：中金预计年内仅降息一次

美联储加息步伐放缓：中金预计年内仅降息一次

北京 - 6月17日，中金公司发布研报指出，美联储在6月议息会议上决定维持联邦基金利率目标在2.25%-2.50%不变，并上调了今年剩余两次加息幅度的预期，但下调了年内降息次数预期，由此前的三次降息至一次。中金分析师认为，美联储此次政策态度较为克制，主要出于以下几方面考虑：

• **通胀仍处高位，但有所放缓。**美国5月CPI同比上升8.6%，仍处于历史高位，但较前一个月有所回落。美联储主席鲍威尔在议后记者会上表示，美联储需要看到更清晰的通胀降温迹象才能考虑降息。
• **经济增长前景存在不确定性。**美联储预计美国经济今年将增长1.7%，低于此前预测的2.3%。鲍威尔表示，美联储将密切关注经济数据，并根据需要调整政策立场。
• **金融市场动荡加剧。**美股近期出现大幅波动，引发市场对经济衰退的担忧。美联储需要保持政策灵活性，以应对潜在风险。

中金指出，美联储此次政策调整反映出其对通胀和经济增长的谨慎态度。预计美联储将在今年剩余两次议息会议上各加息25个基点，并将联邦基金利率目标上调至2.75%-3.00%。鉴于通胀仍处高位，美联储年内降息的可能性较低，即使降息也可能较为温和。

中金建议投资者关注以下几个方面：

• **通胀走势。**如果通胀继续超预期上升，美联储可能会加快加息步伐。
• **经济增长情况。**如果经济增长出现明显放缓，美联储可能会放缓加息步伐甚至降息。
• **金融市场动荡。**如果金融市场出现剧烈动荡，美联储可能会采取干预措施。

总体而言，美联储的货币政策将继续对全球经济和金融市场产生重大影响。投资者应密切关注美联储的政策动向，并及时调整投资策略。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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